7月20日，协会在南通召开产学研项目成果鉴定会，对理事单位通富微电子股份有限公司《高性能FCBGA设计及仿真》《基于透射电子显微分析的激光隐形切割所致硅缺陷精确定位技术开发》两项成果进行鉴定。

《高性能FCBGA设计及仿真》由通富微电与复旦大学共同完成。项目设计开发了20层FCBGA基板，通过电仿真优化产品电性能，采用low Dk和low Df的基板材料降低信号损耗，提升封装布线密度。项目产品的核心技术由通富微电自主研发，实施期间申请了发明专利和实用新型各1 件。经过推广和销售，项目成果已经形成较好的社会经济效益。《基于透射电子显微分析的激光隐形切割所致硅缺陷精确定位技术开发》由通富微电与电子科技大学（深圳）高等研究院共同完成。项目研发技术形成了透射电子显微对该类缺陷的精确定位及分析方案，明确激光传输路径及影响区域，首次给出了隐形激光散射发生的机理，提出了明确的工程优化方向，实现该类缺陷的定位准确率达到90%以上，激光散乱发生率为0%。在产品验证中，最终测试良率为99.8%。

以北京大学长三角光电科学研究院副院长孙泉教授为首的鉴定委员会认真听取了项目组汇报，审查了工作总结、技术报告、检测报告、查新报告等相关资料，经严格质询讨论后，认为本次鉴定的项目成果达到预定的研制目标，产品的整体技术处于国内领先，国际先进水平，一致同意通过鉴定。同时，专家就企业关心的问题进行了深度技术交流，对企业在后续产品研发、行业应用等方面提出了中肯的意见。